114-418一种具有光伏效应的钯掺杂碳薄膜/二氧化硅/硅材料

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114-418一种具有光伏效应的钯掺杂碳薄膜/二氧化硅/硅材料

本发明涉及一种具有光伏效应的材料。可用于制造太阳能电池和光敏传感器件。
本发明提供了一种具有光伏效应的钯掺杂碳薄膜/二氧化硅/硅材料(半导体-氧化物-半导体结构),或者钯掺杂碳薄膜/硅异质结材料。首先,将纯度为99.9%的石墨粉和一定量的纯度为99.9%钯粉混合、冷压获得含有0~5%(原子数含量)的钯元素的钯-石墨复合靶,然后,利用溅射钯-石墨复合靶的方法在抛光的硅基片上沉积一层厚度为20~200纳米的钯掺杂薄膜。该钯掺杂的碳薄膜/二氧化硅/硅材料,或者钯掺杂碳薄膜/硅异质结材料,具有光生伏特效应,可用于制造太阳能电池和光敏传感器件。该材料制造的太阳能电池具有较高的转换效率(约5%),而且生产工艺简单,成品率高。由于碳材料储量丰富,价格便宜,性质稳定,对人体无毒害,因此本发明具有广阔的应用前景。

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