114-419气相法中饱和度调控下准一维氧化物纳米结构的可控制备

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114-419气相法中饱和度调控下准一维氧化物纳米结构的可控制备

纳米结构的可控制备为纳米科技的发展提供器件支撑,气相法可以合成多种材料的各种纳米结构,是纳米组装器件的基础元件。但气相法中纳米结构的可控制备是当前的难点。本人通过控制气相炉中温度、原料及载气等条件调控了反应物的饱和度,以饱和度为调控手段达到控制生长行为的目的。创新之处在于可以较好控制纳米结构的生长行为,在一定程度上可以设计合成所需纳米结构。到目前为止,已经通过此合成思路成功制备了直径可控的ZnO纳米棒阵列、四角结构、梳状等常见结构及球链结构,In2O3纳米箭、纳米塔、立方体和八面体等结构,MgO纳米线、带、管及分级结构。该类氧化物纳米结构在光电器件方面具有重要的应用前景,可以作为复杂纳米器件的元件。
该项目投资规模约20万左右。

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